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CMOS电路生产加工制造工艺专利技术

01、一种QC转换为BC13的CMOS电路单元
    [专利简介]:本发明创造了一种把QC转换为BC13的电路,该电路由三个阈0.5的NMOS管、一个阈2.5的NMOS管、四个阈-0.5的PMOS管、一个阈-1.5的PMOS管和一个阈-2.5的PMOS管组成;本发明的价值在于:该转换电路在确保QC有用信息不丢失的前提下,将QC信号转换为易于识别和使用的BC13信号;这样一方面可以使用QC信号驱动基于BC13信号的数字电路,另一方面解决了QC与BC13间的兼容问题;另外,由于该转换电路把识别难度大的QC转换为了易识别的BC13,所以可采用该转换电路和简单的BC13识别电路来组成QC的识别电路,这样可降低QC应用电路的复杂度,进而有助于QC的推广应用。

002、抗闩锁效应的CMOS电路结构
    [专利简介]:本实用新型公开了一种抗闩锁效应的CMOS电路结构,包括位于下部的P+硅底层和位于上部的P+外延层,该P+外延层上设有P肼和N肼,所述P肼的下部从内到外依次包裹有一层第一N型掺杂层和一层第一P型掺杂层;所述N肼的下部从内到外依次包裹有一层第二P型掺杂层和一层第二N型掺杂层;以及,该第一N型掺杂层和该第二N型掺杂层通过该第一P型掺杂层隔离开;该第二P型掺杂层和该第一P型掺杂层通过该第二N型掺杂层隔离开。本实用新型的优点是:能够有效降低闩锁效应发生几率。

003、一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路
    [专利简介]:一种把ECL逻辑电平转化为MOS逻辑电平的BICMOS电路,转化电路用于把第一逻辑电平范围转化为第二逻辑电平范围,就像通常涉及到把ECL阶段转换为CMOS阶段。

004、一种为TTL和CMOS电路提供电压转换的接口电路
    [专利简介]:一种为TTL和CMOS电路提供电压转换的接口电路,可以有效率地让TTL输出电压下降到CMOS输入阈值范围内的接口电路。接口电路包括连接到产生一个等于两倍的基极发射极电压降的输入电压阈值的双极性和场效应器件。接口电路也包括了一个开关电路部分,它包括一个P沟道MOS晶体管和一个N沟道MOS晶体管。

005、抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
    [专利简介]:本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路,该电路由第一缓冲器(101),第二缓冲器(102),选通PMOS管(103),选通NMOS管(104)和反相器(105)构成;其中第一缓冲器用于消除“高低高”型脉冲,其输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端,输出端连接选通PMOS管(103)的栅极;第二缓冲器用于消除“低高低”型脉冲,输入端连接抗单粒子瞬态脉冲电路输入端,输出端连接选通NMOS管(104)的栅极。选通PMOS管(103)漏极同选通NMOS管(104)漏极相连,作为反相器(105)的输入端;反相器(105)的输出端作为抗单粒子瞬态脉冲电路的输出端。

006、抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
    [专利简介]:本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路,包括:第一缓冲器,其输入端接输入信号,输出第一缓冲信号(out1),用于消除“低高低”型脉冲;第二缓冲器,其输入端接输入信号,输出第二缓冲信号(out2),用于消除“高低高”型脉冲;8个MOS管,其输出的信号(out_inv)满足反相器,输入(out_inv)信号,输出信号(out)作为抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路的输出信号。本发明采用不同上/下拉驱动能力的缓冲器得到分别能够滤除一种干扰脉冲的(out1)和(out2)信号。采用8个MOS管和1个反相器,通过逻辑操作使得输出信号(out)能够滤除两种干扰脉冲。

007、抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
    [专利简介]:本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路,包括:第一缓冲器,输入端连接输入信号,输出信号连接第一传输门数据输入端;第二缓冲器,输入端连接输入信号,输出信号连接第二传输门数据输入端;第一传输门的数据输出信号,连接第二传输门的数据输出端和第一反相器输入端;第一反相器输出信号连接第二反相器输入端,第一传输门中NMOS管和第二传输门中PMOS管栅极;第二反相器输出信号连接第一传输门中PMOS管和第二传输门中NMOS管栅极,并作为抗单粒子电路输出信号。本发明利用不同上/下拉能力的缓冲器分别滤除两类单粒子脉冲,通过控制传输门输出对应信号,具有MOS管数量少,抗单粒子瞬态脉冲能力强、滤除效果好等优点。

008、抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
    [专利简介]:本发明提供了一种抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路,包括:第一缓冲器(101),输入端接输入信号,输出第一缓冲信号(out1),用于消除“低高低”型脉冲;第二缓冲器(102),输入端接输入信号,输出第二缓冲信号(out2),用于消除“高低高”型脉冲,4个MOS管和输出反相器,使得第一缓冲信号(out1)和第二缓冲信号(out2)电平相同时,输出反相器输出(output)等于第一缓冲信号(out1)和第二缓冲信号(out2)的电平,否则保持不变,从而实现了抗单粒子脉冲。本发明所需MOS数量少,面积小、滤除效果好。

009、一种宽带射频开关CMOS电路
    [专利简介]:一种宽带射频开关CMOS电路,涉及一种射频电开关。提供能够有效地降低开关插入损耗,同时当开关隔离时,π型滤波器电路变为阻抗变换电路,可工作在DC~43GHz的频段内,可集成到片上系统Soc或专用集成电路ASCI等,用于对射频信号的传输及隔离操作的一种宽带射频开关CMOS电路。设有数字控制模块、传输门模块和π型网络模块;所述数字控制模块的输入端外接数字控制信号;所述传输门模块的输入端接射频信号,传输门模块的控制端接数字控制信号模块的输出端,传输门模块的输出端接π型网络模块的输入端,所述π型网络模块的控制端接数字控制信号模块的输出端,π型网络模块的输出端输出最终信号。

010、具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路
    [专利简介]:本实用新型涉及集成电路技术领域,特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路,包括一单电子晶体管SET及一PMOS管,所述的PMOS管的源极与SET的源极相连,SET的栅极则与PMOS管的漏极相连,该SET的漏源两端电压Vds必须满足|Vds|
011、具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路
    [专利简介]:本发明涉及集成电路技术领域,特别是一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路,包括一单电子晶体管SET及一PMOS管,所述的PMOS管的源极与SET的源极相连,SET的栅极则与PMOS管的漏极相连,该SET的漏源两端电压Vds必须满足|Vds|
012、CMOS电路和半导体器件
    [专利简介]:本发明提供一种CMOS电路和半导体器件,在包括当使栅极和源极为相等电压时在漏极与源极之间实质上流过亚阈值电流的MOST(M)的输出级电路中,在非激活时,对该MOST(M)的栅极施加电压以使该MOST(M)的栅极和源极之间为逆偏压。即在MOST(M)为p沟道型时,对栅极施加比p型的源极高的电压,在MOST(M)为n沟道型时,对栅极施加比n型的源极低的电压。在激活时根据输入电压保持该逆偏压状态或控制为正偏压状态。从而能够实现即使阈值电压较小也能进行漏电流较小、以高速且较小的电压振幅进行工作的CMOS电路及半导体器件。

013、用于降低MTCMOS电路中模式转变期间的能量消耗的电荷再循环
    [专利简介]:在一个实施例中,一种电路包括:经由第一休眠晶体管连接到地的第一电路块;第一电路块和第一休眠晶体管之间的虚拟地节点;经由第二休眠晶体管连接到电源的第二电路块;第二电路块和第二休眠晶体管之间的虚拟电源节点。该电路还包括传输门(TG)或分流晶体管,其将虚拟地节点连接到虚拟电源节点,以实现在电路在活动模式和休眠模式之间转变期间第一电路块和第二电路块之间的电荷再循环。

014、基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器
    [专利简介]:本发明属于半导体技术领域,特别是数字集成电路方面,一种基于微分负阻(NDR)器件与互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的纳米级流水线乘法器。所用的电路时钟采用多项交叠时钟的形式:四个时钟具有相同的周期且依次延迟四分之一个周期,纳米级流水线4×4阵列乘法器是以1-bit纳米级流水线全加器与半加器为基础的,在加法器的设计上,采用一个RTD管与一个NMOS管串联形成一个三端NDR器件单元,通过NMOS管栅极输入电平的高低来调节三端NDR器件单元的电流大小,整个三端NDR器件单元的电流最大值由RTD管的峰值电流决定,与栅压无关。

015、用于最大时间差流水线系统的非互补型的CMOS电路结构
    [专利简介]:一种非互补型的CMOS电路结构,并联结构的晶体管(1)与至少相互并联的晶体管(2)和(3)串联,至少晶体管(4)、(5)和至少晶体管(6)、(7)分别串联后并联,并与并联的晶体管(2)和(3)串联。本发明减小最大时间差流水线系统数据路径延迟差,大大提高了系统的工作速度和可靠性。

016、用于电压控制振荡器且具有恒定输出振幅和可变时间延迟的CMOS电路
    [专利简介]:提供了用于锁相环路(PLLC)的环形振荡器的延迟电路。该延迟电路包括差分的一对NMOS晶体管102和103,其中NMOS晶体管101提供用于差分对的尾电流。互补NMOS和PMOS负载晶体管104、106和105、107提供用于差分的晶体管102和103的负载。晶体管111-114和121-122以及放大器130一起提供用于延迟装置的偏置。放大器130将非倒相输入设为VDD-VCLAMP。如所配置的,在如和图1中的PMOS晶体管4相对的晶体管104处提供从VDD到VDD-VCLAMP的恒定输出电压振幅不贡献栅极寄生电容,它能实现高工作速度而不消耗更多的电源电流。提供了使用图2的延迟电流的环形振荡器的宽频率调谐范围,因为环形振荡器的工作频率将和通过晶体管101的尾电流成正比。

017、在高速CMOS电路中进行系统化调整的方法和电路设计
    [专利简介]:本发明提出了对包括有多个晶体管和有源元件的电子电路系统进行设计的技术。根据本技术的一方面,对一些或所有的晶体管和有源元件进行系统的设计以使这些功能性构件块间的系统级相互作用所引起的人为影响最小化。该调节是基于每个已调节晶体管和有源元件的电等效沟道几何形状(EECG)的比值。

018、具有CMOS电路的电子设备
    [专利简介]:作为SOI结构的MOS晶体管的耗散型n沟道MOS晶体管(以后称为“D型NMOS”)被放置在CMOS电路的正的电源端子与电源单元的正的端子之间,以便把它的源极连接到CMOS电路的正的电源端子,把它的漏极连接到电源单元的正的端子,以及把一个电压输入到它的栅极,这样,即使电源单元的正的端子的电压超过CMOS电路的运行电压的上限时,D型NMOS的源极仍等于或低于CMOS电路的运行电压的上限,以及当电源装置的正的端子的电压是在CMOS电路的运行电压的下限附近时它是与电源装置的正的端子的电压相同的电压。

019、CMOS电路的n阱偏压的预设电路及其方法
020、具抗扰性的动态CMOS电路
021、BICMOS电路中的MOS逻辑电路

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